単層分子ドーピング法で導入されたリンと不純物の熱処理挙動の研究

３次元アトムプローブ分析技術を用いてシリコン表面近傍に添加されたドーパント（リン）と不純物の拡散分布を調べた。表面近傍に均一にドーピング可能な「単層分子ドーピング法」に着目し、その方法で添加されたリンと不純物の濃度分布を調べた。本研究では、所望のリンのみ拡散することを示した。